インテルは、一旦手放したメモリー開発を再び始め、新たにDCPMメモリーを開発した。
DCPMメモリーは、従来のNAND型フラッシュメモリーよりデータ処理速度が100倍以上速い。DRAMよりも価格が安く、電源が切れても情報が消えずに残るという。
つまり、このDCPMメモリーは従来のハードディスクの性質をも併せ持ったメモリーで、このメモリーにデータを入れておけば、データを安定的に保管できるだけでなく、高速でその情報をダイレクトに読み出すことができるということのようだ。
これは韓国などの従来の半導体産業にとって、相当に大きなダメージを与える可能性が高いと推測される。
ソースとなる中央日報の記事https://japanese.joins.com/article/028/258028.html?servcode=300§code=300
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1964年生まれ。名古屋出身。早稲田大学法学部卒。マスコミ報道の歪みに問題意識を持つ。日本のバブル崩壊とサブプライムローン危機・リーマンショックを事前に予測。現在、中国とヨーロッパが連動する金融恐慌の到来を予測。「経済のことがよくわかる事典」を出版。20年以上にわたってほとんど経済成長していない日本を再興させ、世界に誇れる日本を後の世代に引き渡すために、日本再興計画を立案する。
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